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RIE-200C 是一種盒式設(shè)備，用于大規(guī)模生產(chǎn)，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗(yàn)，該設(shè)備具有豐富的平行平板 RIE 設(shè)備交付記錄。
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RIE-200NL 是一種負(fù)載鎖定設(shè)備，基于 RIE-10NR 的經(jīng)驗(yàn)，該設(shè)備具有豐富的平行平板 RIE 設(shè)備交付記錄。
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RIE-10NR 是一種平行平板反應(yīng)離子蝕刻 （RIE）設(shè)備，用于各向異性加工各種硅薄膜，如 Si、Poly-Si、SiO_和 SiN。
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RIE-230iP 是一種負(fù)載鎖定 ICP 蝕刻設(shè)備，采用電感耦合等離子體（工業(yè)層壓 Plasma）作為放電形式，旨在高速加工各種材料的超精細(xì)。
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高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場(chǎng)）作為放電形式。 該設(shè)備具有負(fù)載鎖室，具有出色的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。
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RIE-350iPC 是一種 ICP 蝕刻設(shè)備，用于化合物半導(dǎo)體工藝的多片同時(shí)處理，在放電形式中采用電感耦合等離子體（ 工業(yè)堆疊 Plasma）
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高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場(chǎng)）作為放電形式。 無(wú)負(fù)載鎖室的設(shè)備配置可實(shí)現(xiàn)低成本和節(jié)省空間，同時(shí)配備 2 個(gè)盒式磁帶。
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高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場(chǎng)）作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產(chǎn)設(shè)備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。 它成為直徑為 ±4 英寸的晶圓專用設(shè)備，可以安裝在節(jié)省空間的地方。
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高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場(chǎng)）作為放電形式。 該裝置是一種全 面生產(chǎn)設(shè)備，具有真空盒室，具有優(yōu)異的工藝可重復(fù)性和穩(wěn)定性。
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高密度等離子蝕刻裝置，采用電感耦合等離子體（工業(yè)塑料廣場(chǎng)）作為放電形式。 該裝置具有兩個(gè)反應(yīng)室，提高了區(qū)域生產(chǎn)率，是一種具有出色工藝再現(xiàn)性和穩(wěn)定性的正宗生產(chǎn)設(shè)備。
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PD-270STLC 是一種低溫、高速等離子 CVD 設(shè)備，用于通過(guò) TEOS 形成氧化硅膜 （SiO+），用于液體材料。
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雖然設(shè)計(jì)緊湊，可 沉積到 ±8 英寸晶圓上，但樣品為 ±3 英寸晶圓，可同時(shí)沉積 5 個(gè)晶圓，4 英寸晶圓可同時(shí)形成 3 個(gè)薄膜，1 個(gè) ±8 英寸晶圓可以沉積。
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在廣泛的膜質(zhì)量控制 SiN沉積中，應(yīng)力控制范圍從800MPa到壓縮200MPa不等。 此外，通過(guò)改變氣體流速比，還可以控制折射率。
